Ni电子排布为什么不是[Ar]3d5 4s2 4p3 而是[Ar]3d8 4s2半充满状态不是能量比较低吗 相对于部分全充满来说 这种情况下该如何优先选择排布方法呢?

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/05/02 11:30:26
Ni电子排布为什么不是[Ar]3d5 4s2 4p3 而是[Ar]3d8 4s2半充满状态不是能量比较低吗 相对于部分全充满来说 这种情况下该如何优先选择排布方法呢?

Ni电子排布为什么不是[Ar]3d5 4s2 4p3 而是[Ar]3d8 4s2半充满状态不是能量比较低吗 相对于部分全充满来说 这种情况下该如何优先选择排布方法呢?
Ni电子排布为什么不是[Ar]3d5 4s2 4p3 而是[Ar]3d8 4s2
半充满状态不是能量比较低吗 相对于部分全充满来说 这种情况下该如何优先选择排布方法呢?

Ni电子排布为什么不是[Ar]3d5 4s2 4p3 而是[Ar]3d8 4s2半充满状态不是能量比较低吗 相对于部分全充满来说 这种情况下该如何优先选择排布方法呢?
4p比3d能级高,要先填满3d才能填4p

Ni电子排布为什么不是[Ar]3d5 4s2 4p3 而是[Ar]3d8 4s2半充满状态不是能量比较低吗 相对于部分全充满来说 这种情况下该如何优先选择排布方法呢? 为啥元素Ni的电子排布是(Ar)3d8 4s2 而不是(Ar)3d5 4p3 不是说半满稳定么? 为什么亚铁离子的电子排布和铬原子的排布不同Fe2+:[Ar]4d6 Cr:[Ar]3d5 4s1 电子排布式中为什么不能将[Ne]3s2 3p2改写为[Ne]3s1 3p3不是半满是最小吗?铬不就是[Ar]3d5 4s1吗?都是半满 为什么亚铁离子的电子排布式不是[Ar] 3d54s1或[Ar] 3d44s2? 电子排布式的问题为什么Cr的电子排布式是3d5 4s1(外围)而Si的电子外围排布式是3s23p2 而不是3s1 3p3(这样半充满不是更好) 铁元素简化电子排布式为什么不是[Ar]3d8它是怎么排的? Ni为什么不是… 4S2 4P3 3D5 不是半充满稳定么? [Ar]3d9 4s1 [Ar]3d5 4s1 [Ar]3s2 3p3 [Ar]3d5 4s2 单电子数最多的是哪一个 为什么Ni原子的电子排布式为3d8 4s2,而不是3d10呢,3d10不是也排满了能量很低吗, 为什么Ni原子核外电子排布式为[Ar]3d84s2为什么不能是3d10?还有如果核外剩一个未成键电子 算一个孤电子对吗还有没有孤对电子能形成氢键吗 求副族元素的外围电子排布Sc Ti V Cr Mn Fe Co Ni Cu Zn的外围电子排布.主族元素Ga的电子排布式是【Ar】3d10 4s2 4p1,它的外围电子排布是3d10 4s2 4p1,还是4s2 4p1 一个关于原子电子排布的问题24号元素Cr 是【Ar】3d5 4s1 因为半充满较稳定所以把4s层的一个电子弄到3d上去了那么74号的W 钨5d4 6s2 它为什么不也弄成半充满结构呢?电子亲合势里的方程 :F(g)+e= 三价铬离子基态电子排布式到底是[Ar]3d3还是[Ar]3d1 4s2呢?不是应该先填满4s能级么?为什么有的写的是3d3? 原子最外/次外电子亚层电子排布比如24号铬外层是(3d5)(4s1)为什么不是(3d4)(4s2)或者直接4s6,不是说4s能级小于3d吗 为什么钨原子最外层电子排布是4d4 5s2,而不是5d5 4s1,半充满不是能量么?和钻孔效应是不是有关? Mn的电子排布式为1s2 2s22p6 3s23p64s2 3d5 为什么它的最高化合价是7不是5?! Fe2+和Fe3+的核外电子排布式?为什么fe2+不是3d5 4s1的稳定结构?